Выбрать категорию
Топ «Где купить?
навигацияЧип и Дип
прочитано 24531 раз
навигацияТом-Электрон
прочитано 12115 раз
навигацияСириус Телеком
прочитано 11981 раз
навигацияТриггер
прочитано 11461 раз
навигацияТритон
прочитано 9916 раз
Топ «РТР»
навигацияOptochip
прочитано 3133 раз
навигацияFLProg
прочитано 2949 раз
навигацияChipfind
прочитано 2940 раз
навигацияРадио для всех
прочитано 2085 раз
Новости :: Новости компаний

CAS100H12AM1 – полумостовой SiC MOSFET модуль от CREE POWER

07.03.2013 13:14

CAS100H12AM1Компания CREE POWER представляет первый полумостовой MOSFET модуль CAS100H12AM1, выполненный на основе карбида кремния (SiC). Предлагаемые модули рассчитаны на рабочее напряжение сток – исток 1200 В и ток 100 А (при температуре 100°С). Данные модули предлагаются как альтернативный вариант мощным IGBT модулям, но при этом имеют целый ряд преимуществ перед ними.

К преимуществам можно отнести:

  • Очень малые потери (RDS(on) - 16 мОм, EON – менее 2.4 мДж, EOF – менее 1.4 мДж);
  • Нулевой обратный ток восстановления диодов;
  • Нулевой «хвостовой» ток выключения MOSFET;
  • Возможность работы на высоких частотах;
  • Положительный температурный коэффициент VF и VDS(ON);
  • Широкий диапазон рабочей температуры модулей: от -55 до +125°С (внешняя, температура кристалла до +150°С).

MOSFET модули на карбиде кремния CAS100H12AM1 рассчитаны на применение в преобразователях напряжения большой мощности: устройствах управления электродвигателями, инверторах для солнечных батарей, системах индукционного нагрева, импульсных источниках питания и источниках бесперебойного питания.



источник  www.compel.ru Перейти к обзору

Поиск у партнеров
 
Искать на DESSY.RU
Отзывы и комменты
19.03.21 • Есть возможность взять у компании на тестирование образцы продукции. Заявку оставить на офф сайте не сложно. Присылают быстро. >>>
11.03.21 • Несколько раз оформляли доставку в интернет – магазине. Качеством присланного удовлетворены. Комплектацией – так же. Работают с хорошими транспортны... >>>