CAS100H12AM1 – полумостовой SiC MOSFET модуль от CREE POWER

Компания CREE POWER представляет первый полумостовой MOSFET модуль CAS100H12AM1, выполненный на основе карбида кремния (SiC). Предлагаемые модули рассчитаны на рабочее напряжение сток – исток 1200 В и ток 100 А (при температуре 100°С). Данные модули предлагаются как альтернативный вариант мощным IGBT модулям, но при этом имеют целый ряд преимуществ перед ними.

К преимуществам можно отнести:

• Очень малые потери (R_DS(on) - 16 мОм, E_ON – менее 2.4 мДж, E_OF – менее 1.4 мДж);
• Нулевой обратный ток восстановления диодов;
• Нулевой «хвостовой» ток выключения MOSFET;
• Возможность работы на высоких частотах;
• Положительный температурный коэффициент V_F и V_DS(ON);
• Широкий диапазон рабочей температуры модулей: от -55 до +125°С (внешняя, температура кристалла до +150°С).

MOSFET модули на карбиде кремния CAS100H12AM1 рассчитаны на применение в преобразователях напряжения большой мощности: устройствах управления электродвигателями, инверторах для солнечных батарей, системах индукционного нагрева, импульсных источниках питания и источниках бесперебойного питания.